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工艺相关
12 inches or 8 inches 晶圆直径大小,分别对应是300mm和200mm,更早期有四吋六吋
wafer 晶圆
die 单指一颗芯片
pvd 物理气相沉积
cvd 化学气相沉积
wet 湿法刻蚀
etch 干法刻蚀
lithography ,litho,photo都指光刻
cmp 化学机械研磨
diffusion 炉管
implant 离子植入
slurry 研磨液
photoresist 光刻胶或者光阻
chemical 化学材料
DIW 去离子水也叫纯水
gas 化学反应气体,比如etch或者cvd所用的气体
target 靶材,一般是pvd会用到
12 inches or 8 inches 晶圆直径大小,分别对应是300mm和200mm,更早期有四吋六吋
wafer 晶圆
die 单指一颗芯片
pvd 物理气相沉积
cvd 化学气相沉积
wet 湿法刻蚀
etch 干法刻蚀
lithography ,litho,photo都指光刻
cmp 化学机械研磨
diffusion 炉管
implant 离子植入
slurry 研磨液
photoresist 光刻胶或者光阻
chemical 化学材料
DIW 去离子水也叫纯水
gas 化学反应气体,比如etch或者cvd所用的气体
target 靶材,一般是pvd会用到
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