工艺相关 12 inches or 8 inches 晶圆直径大小,分别对应是300mm和200mm,更早期有四吋六吋wafer 晶圆die 单指一颗芯片pvd 物理气相沉积cvd 化学气相沉积wet 湿法刻蚀etch 干法刻蚀lithography ,litho,photo都指光刻cmp 化学机械研磨diffusion 炉管implant 离子植入slurry 研磨液photoresist 光刻胶或者光阻chemical 化学材料DIW 去离子水也叫纯水gas 化学反应气体,比如etch或者cvd所用的气体target 靶材,一般是pvd会用到