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烧结银：3D封装中高功率高密度互连的核心材料烧结银作为3D封装领域的关键材料与技术，凭借其高导热性、低孔隙率、优异的可靠性及对宽禁带半导体的兼容性，成为解决3D封装中高功率密度、热管理及高密度互连问题的核心方案。其应用贯穿于3D封装的多个关键场景，支撑着AI、新能源汽车、光通信等高端领域的发展。一、烧结银在3D封装中的核心应用场景2.5D/3D IC堆叠封装：高密度互连的桥梁2.5D/3D IC是异构集成的主流形式，通过硅中介层（Interposer）或TSV硅通孔技术实现多芯片堆叠，提升集成度。烧结银膏因150-200℃低温工艺兼容硅中介层的低熔点聚酰亚胺材料，且高导电性能减少互连电阻，成为...

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