请说一下OCV的概念，为什么需要用到OCV，什么阶段需要OCV，如何 实现？  回顾课程上关于OCV的介绍。 OCV，较为悲观的时序计算模式。Cell PVT在实际芯片上不可能落在一个点 上，有可能是一个范围，利用crpr消除悲观量 请说一下memory的摆放规则？ 大的Macro尽量贴边摆放 同一个模块里面的Macro经可能放在一起 Macro与Macro之间要留有一定空隙，给予布线资源。 为什么memory需要靠边摆放？ 给core区域留出一个规整的区域摆放标准单元 ...

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1.CMOS闩锁效应的实质是什么？解释其工作机理？ 当源/漏扩散区相对背栅正偏时，会向邻近器件的反偏结注入少子。相邻的NMOS 和PMOS 晶体管相互交换少子会引发CMOS 闩锁效应。少子保护环可以防止闩锁效应，但是在CMOS 工艺中不易实现。 2. 详尽描述MOS 晶体管的匹配规则 1）采用相同的叉指图形 2）采用大面积的有源区 3）对于电压匹配，保持较小的Vgst 值 4）对于电流匹配，保持较大的Vgst 值 5）采用薄氧化层器件代替厚氧化层器件 6）使用晶体管的方向一致 7）晶体管应相互靠近 8）匹配晶体管的版图应尽可能紧凑...

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1、均匀掺杂材料中，方块电阻的单位是Ω/□ （对） 2、同等规格的方块电阻参数N阱的方块电阻参数大于多晶硅的。（对）3、多层金属相互交叉形成堆叠电容器， 可以部分解决单位面积电容较大的问题。（错） 4、很多 CMOS 和BiCMOS 工艺已经包含了多层的多晶硅，所以多晶硅-多晶硅电容不需要额外的掩模步骤。（对） 5、品质因数的一般性原则Q值和频率相关。（对） 6、热击穿和二次击穿通过限制晶体管的工作条件来避免。（对） 7、饱和的NPN管还可以提供希望的衬底电流，饱和也会引起一种称为电流翘曲的失效机制。（错） 8、少子保护环可以防止闩锁效应，但是在 CMOS ...

1.什么是IC验证工程师？ 回答这个问题之前，需要先来梳理一下芯片诞生的过程。芯片的诞生大致可以分为：设计环节→制造环节→封测环节。验证是贯穿于芯片设计整个流程的，从芯片设计的最初环节开始，到代码实现，再到流片前及流片后。验证工程师的工作就是要在产品投入生产前将产品的潜在缺陷尽可能找出来，进行层层自测和验证活动。绝对算得上是实力“责任”担当。 2.小刘的一天 小刘原本是一家互联网公司的程序员，现在转行做IC验证工程师已经1年了。 公司规定朝九晚六。小刘喜欢早15分钟到公司，吃个早餐喝杯咖啡，和同事聊聊股票基金。 早上9:00。先看看正在做...

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1、集成电路版图设计按照对布局布线位置的限制和布局模块的限制来分：有__全定制__和__半定制__。 2、导体分为__良导体__、__不良导体__。 3、在标准双极工艺中，发射区电阻通常用做__功率管整流__、__电流敏感电阻__。 4、电容存储的是__电场能量__。 5、__电阻多晶硅层__可以用作形成上电极。 6、流过导体的电流会在导体周围产生磁场。随着电流的变化，能量流入或流出这个磁场， 这些能量流沿着导体产生压降。电流和电压关系可以定量的表示为：__ __。 7、在线圈中每圈导线称为一匝，每匝产生的磁场也会通过其他所有匝，称为__磁耦合__。 ...

1、集成电路版图设计师共设 4 个等级，分别是 版图设计员 、 助理版图设计师 、 版图设计师 、 高级版图设计师 。 2、元素周期表中一些元素（如硅锗）的电学特性介于金属与非金属之间，叫 半导体 。 3、标准双极工艺基区方块电阻的典型范围为 100 ~ 200 Ω/□ 。4、发射区电阻必须置于适合的隔离岛中，通常的做法是发射区电阻制作在基区扩散内，基区扩散又制作在一个__N阱__内。 5、在零偏压下，这种电容能提供较大的单位面积电容（典型值为 0.8fF/um2）,但这种电容会随着反偏电压的增大而逐渐__减小__。 6、使用高介电常数的电介质，利用相对较小的区域制作_...

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• 1) Chip utilization depends on __b_. a. Only on standard cells b. Standard cells and macros c. Only on macros d. Standard cells macros and IO pads • 2) In Soft blockages __c__ cells are placed. a. Only sequential cells b. No cells c. Only Buffers and Inverters d. Any...

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