不惧困难，埋头发展，这就是长江存储

长江存储，国内唯一一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业。对于长江存储，最新发布在《交大评论》上的文章是这样评价的：经过六年多的艰苦创业，通过创新3D NAND新一代技术架构，长江存储实现了对全球顶级存储厂商的超越，为国内网信企业树立了通过技术创新实现产业领先的成功标杆，在中国半导体技术自立自强和网信产业自主可控的功勋簿上书写下了浓墨重彩的一页。

事实上，长江存储的发展本就是一个破局的过程。在发展历程中，长江存储几乎走的每一步都困难重重，不仅有内部的研发压力，还有外部的压力，这些从长江存储过去几年的新闻事件中就可以看出。但对于这些困难，长江存储选择埋头发展，任尔东西南北风。

长江存储一直认为只有技术创新才是市场竞争力的唯一出路。因此，为了突破国外技术的围堵和封锁，长江存储没有跟随使用三星、SK海力士和美光等全球领先企业广泛采用的CNA和CUA等传统主流技术架构，而是与中科院微电子研究所、清华大学、复旦大学、上海微系统所签署了IP联合授权协议，获得1500多件包含20纳米以下集成电路创新技术联合专利池的整体使用权，并以中科院微电子所的“三维存储器制造”专利技术和三维存储器的晶圆键合系统级封装为基础，经过长达9年在3D NAND领域的技术积累和4年的研发验证后，终于将晶圆键合这一关键技术在3D NAND闪存上得以实现，创新实现了Xtacking技术架构，成功实现了国产3D NAND的突围，走出了一条先进的3D NAND中国路线，交出了一份让市场满意的3D NAND中国方案。

Xtacking架构可以将芯片面积减少约25%，研发周期缩短三个月，生产周期缩短20%，闪存的最高存取速度更将大幅提升至DDR4内存的水平，更重要的是堆叠层数甚至达到1000层，具有更好的性价比和创新优势。

这样的埋头发展也是有好处的，长江存储每一步都走得很稳，取得的成就也备受瞩目：2017年2月，长江存储与中科院微电子所共同研发的国产32层3D NAND FLASH芯片取得突破性进展；2018年8月首次推出自研Xtacking技术架构，实现了闪存技术架构的突破性创新，并成功应用于64层堆叠的第二代3D NAND产品；2019年8月推出新一代的Xtacking 2.0技术架构，并推出64层TLC技术；2020年4月宣布直接跳过96层，成功研发128层TLC和QLC 3D NAND，同年10月，64层TLC NAND 致钛pc005上市，代表着长江存储64层TLC工艺良品率进入量产等级；到2021年，128层堆叠的TLC产品全面量产，海康威视、紫光、阿斯加特等SSD厂商搭载长江存储128层TLC NAND上市；2021年12月29日，发布了搭载128层TLC颗粒的自有品牌致态最新系列TIPro7000，两款产品代表着长江存储128层TLC工艺良品率正式进入量产等级；2022年4月推出消费级固态硬盘产品致态TiPlus5000，同月推出采用TLC 3D闪存颗粒的UFS 3.1闪存UC023，2022年11月推出为商用PC、商用笔记本、服务器等提供轻薄高速的存储解决方案的全新固态硬盘PC300。

此时的长江存储，已然在存储市场有了一席之地，这也是长江存储被世界关注的时刻。但长江存储并没有因为这些成就止步不前，而是继续埋头发展技术，继续迎难而上。

2022年8月3日长江存储正式发布了Xtacking3.0技术架构，并推出拥有更高的存储密度、更快的I/O速度的第四代TLC三维闪存X3-9070，堆叠层次已突破200层。

长江存储只用了6年时间就实现了达到全球领先水平，成为第一家超越外国最顶尖公司的中国半导体企业。这样的成就，也担得起大众对他的评价。