CMOS门电路和TTL门电路 模拟电路预备知识【MOS】 1. MOS管 对于N沟道来说高电平就连通，低电平就截止 应用：计算机组成原理【SRAM存储器】电路中的MOS反相器【触发器】 NMOS G为高电平时，D漏极和S源极导通 G为低电平，G栅极和S源极导通，而D和S截止。 CMOS非门 当VI=0V N1截止，所以D漏极和S源极断开， P1导通（S与D导通），所以Vo（两个漏极相连）就为Vdd（输出1) CMOS二输入或非门 CMOS二输入与非门 NMOS管串联可实现与，并联可实现或，其输出是该操作的反 带缓冲器的CMOS门电路 模拟电路预备知识【三极管】 ...