2024“芯原杯”电路设计大赛（南京站）

业内专家现场培训指导
体验先进工艺电路设计
不限年级专业自由组合参赛
丰厚奖金、实习机会等你来赢取
快喊上你的小伙伴一起大放异彩吧！

竞赛日程：
大赛报名 3月18日——4月15日
赛前培训 4月26日——4月27日
封闭式竞赛 4月28日（9：00——21：00）
晋级队伍答辩 4月29日
地点：南京市鼓楼区中央路329号香格里拉酒店

竞赛主题介绍
FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）是一种介于传统的平面体硅工艺和三维FinFET工艺之间的器件结构。它兼有平面工艺的简单低成本，SOI工艺的低漏电、抗辐射，和接近FinFET的高性能、低功耗等特点，而且额外支持灵活的衬底偏压技术。FD-SOI进一步延伸了20nm以下摩尔定律的发展，非常适合物联网、移动设备等高性能低成本应用以及对可靠性要求更高的汽车电子等需求。

竞赛形式
竞赛将采用封闭模式，1-3名学生自由组合参赛，可跨年级、跨专业、跨校组队。如报名队伍不足3人，将随机安排组成3人团队。
有电路设计理论基础且具有正式学籍的全日制本科生及研究生均有资格报名。
由芯原专家组从模拟及射频电路设计方向命题，题目将在封闭竞赛当天公布。参赛队根据命题要求，基于竞赛的统一平台设计，独立完成一个满足性能指标要求的电路设计并提交相应设计报告。

竞赛评审
专家评审团对每组设计进行全面和准确的测试评估，挑选出晋级队伍于大赛次日进行最终评审答辩。
竞赛评审成绩以参赛作品评审为主体，完成命题设计占80%，自主创新占20%。

竞赛奖励
一等奖（1队）
芯原实习机会、20000元奖金
二等奖（2队）
芯原实习机会、10000元奖金
三等奖（3队）
芯原实习机会、6000元奖金