数字IC后端设计工程师面试真题·4（含参考答案）

clock uncertainty主要包含哪些内容？你设置了多少？
芯片功耗主要包含哪些内容？
静态功耗，动态功耗
静态功耗的概念，如何降低？请列举一些你知道的方法
笔试题经常会有，建议背出来静态功耗（leakage）包含：门栅感应漏极泄漏功耗反偏二极管泄漏功耗亚阈值泄漏功耗门栅泄漏功耗如何降低？换HVT 电压关断技术减少decap_cell
动态功耗主要包含哪些部分，如何降低？请列举一些你知道的方法
笔试题经常会有，建议背出来动态功耗包含短路功耗和开关功耗如何降低，门控时钟多电源多电压技术SRPG（状态保持门控技术） DVFS（动态电压与频率调节技术）
什么是IR drop? 有IR drop问题应该怎么办？

IR压降是指出现在芯片中电源网络上电压下降的一种现象。随着半导体工艺的演进金属互连线的宽度越来越窄，导致它的电阻值上升，所以在整个芯片范围内将存在一定的IR drop。SoC设计中的每一个逻辑门单元的电流都会对设计中的其它逻辑门单元造成不同程度的IR drop。如果连接到金属连线上的逻辑门单元同时有翻转动作，那么因此而导致的IR drop将会很大。如果芯片的IR drop过大，则std cell就有功能故障，使芯片彻底失效。如何修复？在有ir drop的地方添加stripe 添加decap cell 减小负载。
什么是EM？有EM问题应该怎么办？
EM电迁移问题用来表示导致芯片上金属断裂、熔化等的一些失效原因。当电子流过金属线时，将同金属线的原子发生碰撞，碰撞导致金属的电阻增大，并且会发热。在一定时间内如果有大量的电子同金属原子发生碰撞，金属原子就会沿着电子的方向进行流动。这将会导致两个问题：首先，移动后的原子将在金属上留下一个空位，如果大量的原子被移动，则金属线断开；第二点，被移动的原子必须停在某一个地方，如果这些原子停在某个地方使别的金属连线短路，则芯片的逻辑功能就被改变，从而发生错误。电迁移是一个长时间的损耗现象，常常表现出经过一段时间后芯片有时序或功能性错误。比如说三年，五年以后，如果芯片中这根连线是唯一的，那么当发生电迁移问题以后，会导致整个芯片的功能失效。如果因为电迁移而导致了线路间的短路，那整个芯片就失效. 如何修复？增加金属宽度（设置ndr）插入buffer，减小net的load。
STA的基本概念，与仿真相比，它的优势是什么？
套用特定的时序模型（timing model），针对特定电路分析其是否违反设计者给定的时序限制（Timing Constraint）优势：速度快，完整性高。
STA在什么阶段做，各个阶段的STA都有什么区别？
任何阶段都可以做，越往后越精确。
timing signoff需要读入哪些文件？说一下具体的流程
网表，时序库，SPEF文件，约束文件。
timing报告主要包含哪几部分内容？
Setup , hold违例报告 cap/slew违例报告 Noise报告 Min pulse width报告 Min period报告。
spef文件里面记录了什么内容？如何得到？
电阻，电容参数可以通过starRC或者QRC提取。
sdf文件里面记录了什么内容？如何得到？

描述了单元和互连线的延迟数据可以通过pt或者tempus时序分析工具中得到。
综合的约束和后端的约束有什么区别？
综合时约束较为粗糙，时钟uncertainty设置的数值较大后端约束更精确，uncertainty更加真实。