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设计一个容量为9KB的半导体存储器,其中ROM区4KB,选用

[问答题]
设计一个容量为9KB的半导体存储器,其中ROM区4KB,选用EPROM芯片(4K×8位/片);RAM区5KB,选用SRAM芯片(4K×4位/片和1K×8位/片)。已知地址总线A15~A0(低),数据总线D7~D0(低),读/写线R/W,片选低电平有效。
a)EPROM芯片和SRAM芯片各需多少片?
b)各芯片应分别连入哪几根地址线?
c)写出各片选信号的逻辑式。


a)EPROM芯片1片,SRAM芯片3片。
b)4K:A11~A0,  1K:A9~A0
c) CS0=A13 A12     CS1=A13A12      CS2=A13 A12 A11 A10
发表于 2017-05-02 14:49:29 回复(0)