某机字长8 位,CPU地址总线16位,数据总线8位,存储器按字节编址,CPU 的控制信号线有:MREQ#(存储器访问请求,低电平有效),R/W#(读写控制,低电平为写信号,高电平为读信号)。试问:
(1) 若该机主存采用16K×1位的DRAM芯片(内部为128×128阵列)构成最大主存空间,则共需个芯片。若采用异步刷新方式,单元刷新周期为2ms,则刷新信号的周期为 ms。
(2) 若为该机配备1K×8位的Cache,每字块4字节,采用4路组相联映象,则主存地址中字段块内地址 位,字段Cache组地址位,字段高位标记位。若主存地址为1234H,则该地址映象到的Cache的第组。
(3)
若CPU执行一段时间时,Cache完成存取的次数为2400次,主存完成的存取次数为100次,已知cache的存储周期为20ns,主存的存储周期为100ns。则Cache/主存系统的平均访问时间为ns,Cache/主存系统的效率为。
(4)
若用若干个8K×4位的SRAM芯片形成24K×8位的RAM存储区域,起始地址为2000H,假设SRAM芯片有CS#(片选,低电平有效)和WE#(写使能,低电平有效)信号控制端;试写出RAM的地址范围,并画出SRAM与CPU的连接图(请标明SRAM芯片个数、译码器的输入输出线、地址线、数据线、控制线及其连接)。