题目描述： 设计一个单端口RAM，它有： 写接口，读接口，地址接口，时钟接口和复位；存储宽度是4位，深度128。 注意rst为低电平复位 信号示意图：

输入描述:

输入信号   enb, clk, rst  addr  w_data类型 wire在testbench中，clk为周期5ns的时钟，rst为低电平复位

输出描述:

输出信号   r_data        类型  wire