JS25009-Memory设计工程师
薪资面议
南京市雨花台区花神大道6号中兴二期/上海市浦东新区张江高新科技园碧波路889号/西安市高新区唐延南路10号中兴产业园/成都市高新区天府大道中段800号
2025-01-09
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岗位职责
1、先进工艺Foundation IP(Memory/Stdcell/定制电路)的数模混合设计开发；
2、开发内容包括电路设计, 版图设计, 特征化提取建模, QA验证, 可靠性良率, Testchip设计, 测试,CAD自动化等；
3、与业界合作伙伴联合开发探索先进工艺下Foundation IP设计方法学；
4、开发Foundation IP设计自动化平台；
5、在丰富产品需求的驱动下, 实现PPAY(低功耗, 高速, 高密度, 高良率) 的精准优化, 提供具有核心竞争力的自研Foundation IP；
任职要求
1、微电子、集成电路、计算机、半导体物理、通信、电子工程、软件工程、光电、材料等相关专业硕士及以上学历；
2、扎实硬件基础知识、熟悉模拟/数字电路分析及设计、了解verilog、tcl、perl、python等至少一门编程语言；
3、研究生期间具备Memory设计开发, 数字电路设计开发项目经验优先 ；
4、具备扎实的半导体理论基础, 熟悉数字电路,数模混合电路；
