华为硬件笔试题(部分)

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📝 笔试题目
单选
1,pipeline ADC的特点
2,集成运放主要放大()信号
3,OD门上拉电阻相关
4,关于电感磁芯饱和感量的
5,关于运放基本原理的
6,在高精密电路中要减少共模信号需要重点关注哪个因素()A,PSRR B,BW C,VOS D,CMR
7,关于ttl与cmos逻辑器件互连
8,一般电子产品,共模信号和差模信号的关系
9,下面关于GPIO的说法错误的是()A,GPIO输出模式分为OD和推挽输出 B,OD能进行电平转换 C,OD能进行线与操作 D,OD输出高电平能力大于推挽输出
10,三极管最重要的作用
11,下面不是常用的电磁屏蔽材料的是()A,簧片 B,导电布 C,金属波导版 D,塑料面板
12,关于I2C中CLK上升沿问题
13,LDO设计中,与环路增益无关的是()A,线性调整率 B,负载调整率 C,静态功耗 D,电源抑制比
14,I2C通信结束时,时钟信号线的状态
I2C通信结束时,时钟信号线SCL的状态是高电平,而数据线SDA则通过从低电平跳变到高电平来形成停止信号,从而结束整个数据传输过程。
15,计算机中表示地址时,采用()。
A.原码
B.补码
C.反码
D.无符号数
16,示波器测量高频噪声,应该()A,测量多个周期的信号取Vpp B,用AC档测量 C,利用高阻探头测量,夹接地 D,测量其中的bump点
17,失效率的浴盆曲线的三个时期中,不包括下列的()
A. 早期失效期
B. 随机失效期
C. 多发失效期
D. 耗损失效期
18,下面存取速度最快的是()A,硬盘 B,cache C,ddr S,flash
19,RC时间常数τ
20,单片机的晶振频率若为12MHZ,执行一条 双机器周期指令用的时间为
21,共模电感的作用( )A.抑制差模干扰B.抑制共模干扰C.滤除电流纹波D.滤除电压纹波
22,在实际电路中,采用()控制数据流向 A,OD门  B,或门  C,三态门  D,与门
23,cpu处理流程可以抽象为哪三步
24,关于ttl,cmos互联驱动
25,SI(信号完整性)仿真中,管脚寄生电容大小
多选:
26,线性电源优点有哪些
27,关于nor flash和nand flash的
28,不同的逻辑器件互连需要考虑的因素
29,cpu处理能力的指标() A,工作电压 B,时钟频率 C,缓存大小 D,存储器存取速度
30,下面是常用的功耗优化措施的是()A,自动门控 B,动态频率调压 C,模块非用即关 D使用更先进工艺
31,关于差分这种耦合传输结构
32,mosfet中电场强度和栅极衬底间电压与距离的关系
33,信号边沿不单调会影响()
A.产生错误采样
B.降低时序容限
C.产生电磁辐射
D.器件寿命
判断:
34,时钟抖动是不同时期幅值的差值
35,计算机最小的时间单位是指令周期
#笔试# #我的求职思考# #25届找工作求助阵地# #华为笔试#
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大家感觉咋样,我感觉真难啊😥
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发布于 10-11 18:30 四川

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#vivo求职进展汇总# 直接化身VIVO小黑子沈阳跑到大连面试,感觉自己脑子有坑。一面1.自我介绍2.问我研究生课程3.问我本科课程可能看我研究生专业是人工智能(我研究生期间都跟导师做研究所的项目,而且本科打了电赛和智能车,都拿了省一,所以我觉得专业不影响我😂😂😂)。2.后面就问我模电和数电相关的东西。问了三极管和MOS管区别和优缺点。然后RS触发器(数电太久不记得了)建立时间和保持时间IIC取数据时,SDA的电平。然后是信号完整性的自己的理解。这个问题很宽泛,我就按照自己对高速信号理解,传输线,信号反射,信号串扰说的。3.项目拷打项目框图自己有两个问题没回答出来一个是电源去耦先经过小电容在经过大电容有什么危害。还有一个给我问懵的,因为项目中我用到了ARM(STM32)和FPGA(赛灵思A7系列的型号),面试官问我ARM的上电顺序,我第一次听说这玩意有上电顺序,后面我给面试官引到FPGA上的上电顺序上面去,然后问我为什么要是这样的上电顺序,我说按照芯片手册要求去做的,然后又问我不这样做有什么危害(这个当时没反应过来,没回答出来)。整体来说,我觉得自己面得还可以。就我面试强度和难度来说,不如华为的一半,华子挂我我都不会怎么难受。真是花钱买难受,只能说血亏。希望经历对大家有用吧。
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10-10 18:21
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门头沟学院 天线工程师
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